ВУЛ

ВУЛ Бенцион Моисеевич [р. 9(22).5. 1903, Белая Церковь], советский физик, чл.-корр. АН СССР (1939), Герой Социалистич. Труда (1969). Чл. КПСС с 1922. Окончил Киевский политехнич. ин-т в 1928. С 1932 работает в Физич. ин-те АН СССР, с 1933 руководит организованной им лабораторией физики диэлектриков (ныне лаборатория физики полупроводников). С 1951 чл. Главной редакции БСЭ. Осн. труды по физике диэлектриков и полупроводников. В. установил природу краевого эффекта при пробое твёрдых диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях; развил основы теории фильтрации аэрозолей (1937). Открыл (1944) новый сегнетоэлектрик - титанат бария ВаТЮз (Гос. пр. СССР, 1946), что положило начало многим науч. работам и практич. применениям в области сегнетоэлектричества. Ряд работ посвящён исследованиям р-п-переходов в полупроводниках и основам теории полупроводниковых приборов. Под руководством В. созданы первые в СССР лабораторные образцы полупроводниковых приборов. Впервые предложил использовать р-n-переходы в качестве нелинейных конденсаторов, что находит широкое применение в параметрич. усилителях. В 1962 совместно с другими осуществил первый в СССР полупроводниковый квантовый генератор (Ленинская пр., 1964). Награждён 4 орденами Ленина, 2 др. орденами, а также медалями.

Соч.: Последовательный пробой твердых диэлектриков, "Журнал технической физики", 1932, т. 2, в. 3 - 4: Вещества с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью, "Электричество", 1946, М° 3 (совм. с И. М. Гольдманом); О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках, "Журнал технической физики", 1955, в. 1; Электрическая прочность полупроводников, "Физика и техника полупроводников", 1967, т. 1, в. 11, с. 1638.

Лит.: Бенцион Моисеевич Вул, "Успехи физических наук", 1963, т. 80, в. 4.