ЗООК

Так как сопротивление весьма чувствительно к качеству образца (к количеству примесей и дефектов кристаллич. решётки), а также к темп-ре, то каждое измерение приводит к новой зависимости от Н. Имеющиеся экспериментальные данные для металлов удобно описывать, выразив в виде функции от Н_ЭФ = = Н_рзоо/р, где-сопротивление данного металла при комнатной темп-ре (Т = ЗООК), а -при темп-ре эксперимента. При этом различные данные, относящиеся к одному металлу, укладываются на одну кривую (правило Колера).

Осн. причина Г. я.-искривление траекторий носителей тока (электронов проводимости и дырок) в магнитном поле (см. Лоренца сила). Траектория носителей в магнитном поле может существенно отличаться от траектории свободного электрона в магнитном поле - круговой спирали, навитой на магнитную силовую линию. Разнообразие траекторий носителей тока у различных проводников - причина разнообразия Г. я., а зависимость траектории от направления магнитного поля - причина анизотропии Г. я. в монокристаллах. Мерой влияния магнитного поля на траекторию электрона является отношение длины свободного пробега I электрона к радиусу кривизны его траектории в поле H: r_H = ср/еН (р-импульс электрона). По отношению к Г. я. магнитное поле считают слабым, если = = el/ср, и сильным, если

При комнатных темп-pax для различных металлов и хорошо проводящих полупроводников Н₀ ~ 10⁵-10⁷э, для плохо проводящих полупроводников Н₀~10⁸-10⁹э. Понижение темп-ры увеличивает длину пробега l и потому уменьшает значение Но. Это позволяет, используя низкие темп-ры и обычные магнитные поля (~10⁴Э), осуществлять условия, соответствующие сильному полю Н>> Н₀.

Измерение сопротивления монокри-еталлич. образцов металлов в сильных магнитных полях - один из важных методов изучения металлов. Исследуется зависимость сопротивления от величины магнитного поля и его направления относительно кристаллографич. осей. Теория Г. я. показала, что зависимость сопротивления от поля Н существенно связана с энергетич. спектром электронов. Резкая анизотропия сопротивления в сильных магнитных полях (у Au, Ag, Си, Sn и др.) означает существ, анизотропию Ферми поверхности. И, наоборот, небольшая анизотропия сопротивления в магнитном поле означает практич. изотропию поверхности Ферми. При этом, если с ростом магнитного поля для всех направлений р не стремится к насыщению (Bi, As и др.), то электроны и дырки содержатся в проводниках в равных количествах. Стремление сопротивления к насыщению означает, что преобладают либо электроны, либо дырки (тип носителей может быть установлен по знаку постоянной Холла).

Наряду с поперечными Г. я. наблюдается также небольшое изменение сопротивления металлов в магнитном поле, параллельном току I: наз. продольным гальваномагнитным эффектом. В сильных магнитных полях обнаруживаются квантовые эффекты, проявляющиеся в немонотонной (осциллирующей) зависимости постоянной Холла и сопротивления от поля Н.

При изучении Г. я. в тонких плёнках и проволоках имеет место зависимость от размеров и формы образца (размерные эффекты). С ростом Н при r_H<<d (d - наименьший размер образца) эта зависимость исчезает. В ферромагнитных металлах и полупроводниках (ферритах) Г. я. обладают рядом специфич. особенностей, обусловленных существованием самопроизвольной намагниченности в отсутствие магнитного поля. Напр., эдс Холла в ферромагнетиках зависит не только от среднего поля Н в образце, но и от намагниченности, сопротивление в слабых полях иногда убывает (см. Ферромагнетизм, Холла аффект).

Лит.: Лифшиц И. М., Каганов М. И., Некоторые вопросы электронной теории металлов, "Успехи физических наук", 1965, т. 87, в. 3; Займам Д ж., Принципы теории твердого тела, пер. с англ., М., 1966. М. И. Коганов.