ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА

ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА в твёрдом теле, отношение скорости направленного движения электронов проводимости и дырок (дрейфовой скорости Одр), вызванного электрич. полем, к напряжённости

Е этого поля:

У разных типов носителей в одном и том же веществе ц различны, а в анизотропных кристаллах различны у каждого типа носителей для разных направлений поля Е. Величина ц определяется процессами рассеяния электронов в кристалле. Рассеяние происходит на заряженных и нейтральных примесных частицах и дефектах кристаллической решётки, а также на тепловых колебаниях кристаллической решётки (ф о н о н а х). Испуская или поглощая фонон, носитель изменяет свой квазиимпульс и, следовательно, скорость. Поэтому ц сильно изменяется при изменении темп-ры. При Т>~300 К преобладает рассеяние на фононах, с понижением темп-ры вероятность этого процесса падает и доминирующим становится рассеяние на заряженных примесях или дефектах, вероятность к-рого растёт с уменьшением энергии носителей.

Средняя дрейфовая скорость v_дpнабирается за интервал времени t между двумя последовательными актами рассеяния (время свободного пробега) и равна:

не совпадать по фазе с напряженностью поля Я и П. н. т. зависит от частоты поля. См. также статьи Металлы, Полупроводники, Твёрдое тело.

Лит.: Б л а т т Ф.-Д ж., Теория подвижности электронов в твёрдых телах, пер. с англ., М.- Л., 1963; И о ф ф е А. Ф., Физика полупроводников, [2 изд.], М.-Л., 1957.

Э. М. Эпиппейн.