ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, канальный транзистор, полупроводниковый прибор, в к-ром ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрич. почя, создаваемого входным сигналом. Протекание в П. т. рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы наз. униполярными (в отличие от биполярных). По физич. структуре и механизму работы П. т. условно делят на 2 группы. Первую образуют П. т. с управляющим р-и-переходом (см. Электронно-дырочный переход) или переходом металл-полупроводник (т. н. барьером Шотки, см. Шотки эффект), вторую - П. т. с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл-диэлектрик - полупроводник). В последних в качестве диэлектрика используют окисел кремния (МОП-транзистор) или слоистые структуры, напр. SiO2-А12О3 (МАОП-транзистор), SiO2 - Si3N4 (МНОП-транзистор) и др. К П. т. с изолированным затвором относят также П. т. с т. н. плавающим затвором и П. т. с накоплением заряда в изолированном затворе (их применяют как элементы электронной памяти). В П. т. в качестве полупроводника используют в основном Si и GaAs, в качестве металлов, образующих переход,- Al, Mo, Au. П. т. созданы в 50-70-е гг. 20 в. на основе работ амер. учёных У. Шокли, С. Мида, Д. Канга, М. Аталлы и др.

Схематическое изображение полевых транзисторов с управляющим р-п-пере-ходом (а), с управляющим переходом металл - полупроводник (б), с изолированным затвором (в) и их переходные характеристик ки: 1 - затвор; 2 - область канала; 3 - область пространственного заряда; 4 - исток; 5 - сток; 6 - диэлектрик; 7 - полупроводник с проводимостью р-типа; 8 - полупроводник с проводимостью n-типа; Iс - ток стока; Ес - постоянное напряжение источника тока в цепи стока; U3 - напряжение затвора; (UОТ - напряжение отсечки; ес - напряжение усиливаемого сигнала; Е3 - напряжение начального смещения рабочей точки; RН - сопротивление нагрузки; зачернены области металлических покрытий; стрелками (в канальной области) показано направление движения электронов.

В П. т. 1-й группы (рис., а и б) управляющим электродом (затвором) служит полупроводниковый или металлич. электрод, образующий с полупроводником канальной области р-n-переход или переход металл-полупроводник. На затвор подаётся напряжение, уменьшающее ток, к-рый протекает от истока к стоку: при увеличении этого напряжения область пространств, заряда перехода (обеднённая носителями заряда) распространяется в канальную область и уменьшает проводящее сечение канала. При нек-ром значении напряжения затвора, т. н. напряжении отсечки Uот, ток в приборе прекращается.

В П. т. с изолированным затвором (рис., в) управляющий металлич. электрод отделён от канальной области тонким слоем диэлектрика (0,05-0,20 мкм). Канал может быть либо образован тех-нологич. способом (встроенный канал), либо создан напряжением, подаваемым на затвор в рабочем режиме (индуцированный канал). В зависимости от этого прибор имеет передаточную характеристику соответственно вида I или II (см. рис., в).

П. т. широко применяют в электронной аппаратуре для усиления электрич. сигналов по мощности и напряжению. П. т.- твердотельные аналоги электронных ламп, они характеризуются аналогичной системой параметров - крутизной характеристики (0,1-400 ма/в), напряжением отсечки (0,5-20 в), входным сопротивлением по постоянному току (1011-1016ом) и т. д.

П. т. с управляющим р-и-переходом обладают наиболее низким среди полупроводниковых приборов уровнем шумов (являющихся в основном тепловыми шумами) в широком диапазоне частот -от инфранизких до СВЧ (коэфф. шума лучших П. т. <0,1 дб на частоте 10 гц и ~ 2 дб на частоте 400 Мгц). Мощность рассеяния П. т. такого типа может достигать неск. десятков вт. Их осн. недостаток - относительно высокая проходная ёмкость, требующая нейтрализации её при большом усилении. В П. т. с переходом металл-полупроводник достигнуты наиболее высокие рабочие частоты (макс, частота усиления по мощности лучших П. т. на арсениде галлия > 40 Ггц). П. т. с изолированным затвором обладают высоким входным сопротивлением по постоянному току (до 1016ом, что на 2-3 порядка выше, чем у др. П. т., и сравнимо с входным сопротивлением лучших электрометрических ламп). В области СВЧ усиление и уровень шумов у этих П. т. такие же, как и у биполярных транзисторов (предельная частота усиления по мощности ок. 10 Ггц, коэфф. шума на частоте 2 Ггц ок. 3,5 дб и динамич. диапазон > 100 дб), однако они превосходят последние по параметрам избирательности и помехоустойчивости (благодаря строгой квадратичности передаточной характеристики). Относит, простота изготовления (по планарной технологии) и схемные особенности построения позволили использовать их в больших интегральных схемах (БИС) устройств вычислит, техники (напр., созданы БИС, содержащие > 10 тыс. МДП-транзисторов в одном кристалле). Лит.: Малин Б. В., Сонин М. С., Параметры и свойства полевых транзисторов, М., 1967; Полевые транзисторы, пер. с англ., М., 1971; Зи С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 1973. В. К. Невежин, О. В. Сопов.




Смотреть больше слов в «Большой советской энциклопедии»

ПОЛЕВОЙ ШТАБ РЕВВОЕНСОВЕТА РЕСПУБЛИКИ →← ПОЛЕВОЙ ОПЫТ

Смотреть что такое ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР в других словарях:

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

        канальный транзистор, полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, созд... смотреть

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

- транзистор, в к-ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П.... смотреть

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Термин полевой транзистор Термин на английском field-effect transistor Синонимы Аббревиатуры FET, JFET, MESFET, MOSFET, HEMT, HFET, MODFET, FREDF... смотреть

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

транзистор, в к-ром изменение тока происходит под действием перпендикулярного ему электрич. поля, создаваемого входным сигналом. Протекание рабочего то... смотреть

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (канальный транзистор), транзистор, в котором изменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного ему электрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуру полупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл - полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник. Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению.<br><br><br>... смотреть

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

ПОЛЕВОЙ транзистор (канальный транзистор) - транзистор, в котором изменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного ему электрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуру полупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл - полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник. Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению.<br>... смотреть

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

- (канальный транзистор) - транзистор, в которомизменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного емуэлектрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуруполупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл -полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник.Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению.... смотреть

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

• alcatron• FET (field effect transistor)• polem řízený tranzistor• tranzistor FET• unipolární tranzistor

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

unipolar FET, unipolar transistor, field-controlled [field-effect] transistor, unipolar device* * *unipolar transistor

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

1) FET2) &LT;engin.&GT; field-effect transistor

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

gate-controlled diode, gate-triggered diode, fieldistor, field transistor, unipolar transistor

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

transistore ad effetto di campo

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

field-effect transistor, unipolar transistor, FET

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Feldeffekt-Transistor, Unitron

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

transistor àeffet de champ

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

польови́й транзи́стор

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

өрістік транзистор

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (КАНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР)

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (канальный транзистор), транзистор, в котором изменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного ему электрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуру полупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл - полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник. Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению.... смотреть

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (КАНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР)

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (канальный транзистор) , транзистор, в котором изменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного ему электрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуру полупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл - полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник. Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению.... смотреть

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ

Schottky-gate field-effect transistor, Schottky-gate FET

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ

Schottky-Barrieren-Feldeffekttransistor, Schottky-Barrieren-FET, Schottky-Feldeffekttransistor, Schottky-FET, Schottky-Gate-Feldeffekttransistor

T: 193