ФОТОДИОД

ФОТОДИОД, полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптич. излучения. Ф. представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (р - n-переходом), снабжённый 2 метал-лич. выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлич. или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из к-рых выполняют Ф., служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др.

Различают 2 режима работы Ф.: фотодиодный, когда во внешней цепи Ф. содержится источник постоянного тока, создающий на р - n-переходе обратное смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф., как и фоторезистор, используют для управления элек-трич. током в цепи Ф. в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через р - n-переход и ослабляют электрич. поле последнего. Фототок в Ф. в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф., как и полупроводниковый фотоэлемент, используют в качестве генератора фотоэдс.

Осн. параметры Ф.: 1) порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот), достигает 10^-14 вт/гц ^1/2; 2) уровень шумов - не св. 10^-9 а; 3) область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3- 15 мкм; 4) спектральная чувствительность (отношение фототока к потоку падающего монохроматич. излучения с известной длиной волны) составляет 0,5-1 а/вт; 5) инерционность (время установления фототока) порядка 10^-7 - 10^-8 сек. В лавинном Ф., представляющем собой разновидность Ф. с р - n-структурой, для увеличения чувствительности используют т. н. лавинное умножение тока в р - n-переходе, основанное на ударной ионизации атомов в области перехода фотоэлектронами. При этом коэфф. лавинного умножения составляет 10²- 10⁴. Существуют также Ф. с р - i - n-структурой, близкие по своим характеристикам к Ф. с р - n-структурой; по сравнению с последними они обладают значительно меньшей инерционностью (до 10^-10 сек). Ф. находят применение в устройствах автоматики, лазерной техники, вычислит. техники, измерит, техники и т. п.

Лит.: Тришенков М. А., Фример А. И., Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с р-n-переходами, в сб.: Полупроводниковые приборы и их применение, М., 1971; Рябов С. Г., Торопкин

Г. Н., Усольцев И. Ф., Приборы квантовой электроники, М., 1976.

И. Ф. Усольцев.

Смотреть больше слов в «Большой советской энциклопедии»

ФОТОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ →← ФОТОДИНАМИЧЕСКОЕ ДЕЙСТВИЕ

ФОТОДИОД

Синонимы слова "ФОТОДИОД":

Смотреть что такое ФОТОДИОД в других словарях:

Рекомендуем посмотреть: